Galyum Nitrür (GaN), geniş bant aralıklı yeni nesil yarı iletken malzeme olarak, yüksek güç ve frekanslarda, geniş bantlı ve yüksek verimli çalışma gerektiren baz istasyonu, radar, uydu haberleşme gibi RF uygulamalarında sürekli artan kullanıma sahip bulunuyor.
Dünyada hızla yaygınlaşan 5G ve ötesi mobil haberleşme altyapıları yüksek veri transfer hızı ile geniş frekans spektrumunda, yüksek verimlilikle çalışmayı gerekli kılıyor. GaN tabanlı RF teknolojisi de sunduğu yüksek kırılma voltajı ve yüksek akım yoğunluğu sayesinde geniş frekans aralıklarında yüksek güçlere, yüksek verimlilikle ulaşmaya imkân sağlıyor. Termal iletkenliği yüksek olan SiC alttaş kullanılmasıyla ısıl istikrar ve bunun sonucunda GaN tabanlı aygıtlar için yüksek güçlerde güvenilir çalışma elde ediliyor.
AB-MikroNano, RF tasarım teknolojileri kapsamındaki GaN tabanlı RF aygıt tasarımı, test, karakterizasyon ve güvenilirlik süreçleri için gerekli altyapı ve yetkin ekibi ile S, C, X ve K bantlarında çalışan müşteri ihtiyaçlarını karşılayacak transistör ve entegre devre (MMIC) tasarım, geliştirme ve üretime hazırlama faaliyetleri yürütüyor.
2003 senesinde Bilkent Üniversitesi bünyesinde kurulan, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (Nanotam), eğitim ve Ar-Ge konularında öncü bir kurumdur.
Nanotam, araştırmalara hız kazandırmak ve üretilen bilgi ve teknolojiyi ticari ürün haline getirmek üzere, 2014 senesinde Bilkent Üniversitesi işbirliği ile AB MikroNano Spin-off şirketini kurmuştur.
Geniş bant aralıklı yeni nesil yarı iletken malzeme olan GaN, yüksek güç ve frekanslarda, geniş bantlı ve yüksek verimli çalışma gerektiren baz istasyonu, radar, uydu haberleşme gibi RF uygulamalarında sürekli genişleyen bir kullanım alanına sahip.
